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手机续航2周!1nm芯片工艺技术曝光:性能提升200%功耗降
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来源:欧宝彩票平台  作者:欧宝彩票官网  2022-09-16 16:49:04

  原标题:手机续航2周!1nm芯片工艺技术曝光:性能提升200%,功耗降低85%  目前全球芯片核心技术已经来到了4nm工艺,根据最新消息称,三星和台积电将突破4nm来抢首发3nm工艺,而1nm将成

  原标题:手机续航2周!1nm芯片工艺技术曝光:性能提升200%,功耗降低85%

  目前全球芯片核心技术已经来到了4nm工艺,根据最新消息称,三星和台积电将突破4nm来抢首发3nm工艺,而1nm将成为分水岭,需要突破全新半导体技术。而好消息是近期IBM和三星1nm技术有望突破,搭载此芯片的手机续航可达2周。

  在今年上半年,三星和IBM公布了全球2nm工艺芯片,现在双方在1nm工艺上又有了新的突破,推出了VTFET(垂直传输场效应晶体管)技术,与传统晶体管的电流水平方向传输不同,是垂直方向传输的,有望进军1nm及以下工艺。

  根据三星和IMB的官方说法是,VTFET技术有两个优势,一是可以绕过现有技术等多种限制,进一步扩展摩尔定律,另一个就是大幅度提高性能,采用VTFET技术的芯片,速度可以提升多达2倍,降低85%的功耗。

  如果这个技术量产了,那么手机芯片能效比将大幅提高,手机可以充一次电使用2周时间,不过目前三星和IBM还没有公布1nm量产的时间,所以还是要等的。返回搜狐,查看更多

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